На 100 с лишним слоев больше, чем у нынешней флеш-памяти Micron Micron представила флеш-память NAND нового поколения — G11, ее производство планируется развернуть во второй половине 2027 года. Технология G11 предусматривает более 400 слоёв. Судя по представленным планам, Micron может пропустить поколение G10. Источник изображения: ИИ Gemini // https://gemini.google.com/ Плотность хранения данных у G11, рассчитанная на единицу площади, будет приме
