Micron удвоила плотность флеш-памяти и перешагнула рубеж в 400 слоёв NAND

Micron удвоила плотность флеш-памяти и перешагнула рубеж в 400 слоёв NAND

Micron перепрыгнет через поколение и выпустит 3D NAND с более чем 400 слоями в следующем году — она будет на 50 % быстрее

Micron решила перепрыгнуть через десятое поколение флеш-памяти и готовит сразу 3D NAND G11 — с более чем 400 слоями вместо 276 у нынешней G9. Компания обещает не просто нарастить плотность хранения данных, но и ускорить…